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过渡金属元素及其化合物在合金材料以及催化剂等方面应用非常广泛.(1)基态Ni原子的价电子(外围电子)排布式表示为.(2)硒为第4周期元素,相邻的元素有砷和溴,则3种元素的第
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过渡金属元素及其化合物在合金材料以及催化剂等方面应用非常广泛.(1)基态Ni原子的价电子(外围电子)排布式表示为 ___.
(2)硒为第4周期元素,相邻的元素有砷和溴,则3种元素的第一电离能从大到小顺序为 ___(用元素符号表示).
(3)Cu晶体的堆积方式是 ___(填堆积名称).往铜的硫酸盐溶液中加入过量氨水,可生成[Cu(NH3)4]SO4,下列说法正确的是 ___.
A.[Cu(NH3)4]SO4所含的化学键有离子键、极性键和配位键
B.在[Cu(NH3)4]2+中Cu2+给出孤电子对,NH3提供空轨道
C.[Cu(NH3)4]SO4组成元素中电负性最大的是硫元素
D.SO42-与PO43-互为等电子体,中心原子的杂化轨道类型均为sp3杂化
(4)有一种晶体KxFey(CN)z,Fe2+、Fe3+、CN-的排布如图所示,Fe2+和Fe3+位于立方体的顶点,自身互不相邻,CN-位于立方体的棱上,每隔一个立方体,在立方体的中心含有一个K+ (未画出),则晶体的化学式可以表示为 ___.1molKxFey(CN)z晶体含有π键的个数为 ___(阿伏加德罗常数用NA表示).
▼优质解答
答案和解析
(1)Ni是28号元素,其核外电子排布式为:1s22s22p43s23p43d84s2,其外围电子排布式为3d84s2,
故答案为:3d84s2;
(2)As、Se、Br属于同一周期且原子序数逐渐增大,这三种元素依次属于第VA族、第VIA族、第VIIA族,第VA族元素大于其相邻元素的第一电离能,所以3种元素的第一电离能从大到小顺序为Br>As>Se;
故答案为:Br>As>Se;
(3)Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积;
A、N与H原子形成极性共价键,[Cu(NH3)4]2+与SO42-形成离子键,Cu2+与NH3形成配位键,故A正确;
B、在[Cu(NH3)4]2+中Cu2+提供空轨道,NH3提供孤电子对,故B错误;
C、[Cu(NH3)4]SO4组成元素中O元素的非金属性最强,则电负性最大的是O元素,故C错误;
D、SO42-与PO43-原子个数相等,价电子数相等,互为等电子体,其价层电子对数均为4,属于sp3杂化,故D正确;
故答案为:面心立方最密堆积;AD;
(4)由晶胞图可知,Fe2+和Fe3+位于立方体的顶点,Fe2+的数目为4×
=
,Fe3+的数目为4×
=
,CN-位于立方体的棱上,其数目为
×12=3,每隔一个立方体,在立方体的中心含有一个K+,则两个晶胞含有一个K+,则该晶胞中含有
个K+,化学式可写为:KFe2(CN)6;一个三键中含有两个π键,CN-中含有一个三键,每个晶胞中含有6个CN-,即含有12个π键,则1molKxFey(CN)z晶体含有π键的个数为12NA.
故答案为:KFe2(CN)6;12NA.
故答案为:3d84s2;
(2)As、Se、Br属于同一周期且原子序数逐渐增大,这三种元素依次属于第VA族、第VIA族、第VIIA族,第VA族元素大于其相邻元素的第一电离能,所以3种元素的第一电离能从大到小顺序为Br>As>Se;
故答案为:Br>As>Se;
(3)Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积;
A、N与H原子形成极性共价键,[Cu(NH3)4]2+与SO42-形成离子键,Cu2+与NH3形成配位键,故A正确;
B、在[Cu(NH3)4]2+中Cu2+提供空轨道,NH3提供孤电子对,故B错误;
C、[Cu(NH3)4]SO4组成元素中O元素的非金属性最强,则电负性最大的是O元素,故C错误;
D、SO42-与PO43-原子个数相等,价电子数相等,互为等电子体,其价层电子对数均为4,属于sp3杂化,故D正确;
故答案为:面心立方最密堆积;AD;
(4)由晶胞图可知,Fe2+和Fe3+位于立方体的顶点,Fe2+的数目为4×
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故答案为:KFe2(CN)6;12NA.
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