发光二极管（LED）的材质基本以砷化镓、磷化铝镓铟（InGaAIP）、氮化铟镓（GaInN）为主．已知镓、砷分别是同族的铝、磷的下一周期元素．如图是砷化镓的晶胞结构图（白球为砷，黑球为镓

Question

发光二极管（LED）的材质基本以砷化镓、磷化铝镓铟（InGaAIP）、氮化铟镓（GaInN）为主．已知镓、砷分别是同族的铝、磷的下一周期元素．如图是砷化镓的晶胞结构图（白球为砷，黑球为镓）．请回答：
Ⅰ镓原子的基态原子电子排布式是___．
Ⅱ砷化镓的化学式为___．
ⅢN、P、As的氢化物沸点由高到低的顺序是___（用氢化物分子式表示）．
Ⅳ砷化镓可由（CH₃）₃Ga和砷化氢在700℃时反应制得．（ch₃）₃Ga中镓原子的杂化方式为___．
Ⅴ设砷化镓的晶胞边长为a pm，则其密度为___g/cm³（列式表示，设阿伏伽德罗常数的数值为N_A）．

Answer 1

Ⅰ、镓位于周期表中第四周期第IIIA，故其核外电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹，
故答案为：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶33d¹⁰4s²4p¹；
Ⅱ、该晶胞中，Ga原子个数=4，As原子个数=(1)/(8)×8+6×(1)/(2)=4，所以其化学式为：GaAs，故答案为：GaAs；
Ⅲ、由于NH₃分子间存在氢键，所以NH₃的沸点最高，由于AsH₃的相对分子质量大于PH₃，故AsH₃的沸点高于PH₃，
故答案为：NH₃>AsH₃>PH₃；
Ⅳ、由于Ga原子周围只有3对成键电子对，故其杂化方法为sp²，故答案为：sp²；
Ⅴ、该晶胞中，Ga原子个数=4，As原子个数=(1)/(8)×8+6×(1)/(2)=4，所以ρ=(m)/(V)=((4)/(NA)×145)/((a×10-10)3)g/cm³，故答案为：((4)/(NA)×145)/((a×10-10)3)．