半导体本征浓度怎么计算大家帮忙看下计算硅在T=300K时的本征浓度ni(i是小个的,打不出来)ni=BTe3/2()=(5.23×1015)(300)3/2e()PS：(里面的(86×10^-6)就是86乘以十的负六次方)

Question

半导体本征浓度怎么计算
大家帮忙看下计算硅在T=300K时的本征浓度ni(i是小个的,打不出来)
ni=BT e3/2 ( )
=(5.23×1015)(300) 3/2 e( )
PS：(里面的(86×10^-6)就是86乘以十的负六次方)

Answer 1

一定的电荷转移我们可以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算：
ni（T）＝AT3/2e－EG/2kT式中,
EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量,单位是eV（电子伏）,又被称为禁带宽度；
T——温度；
A——系数；
k——波耳兹曼常数（1．38×10－23J/K）；
e——自然对数的底.
由于在本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的,所以这个计算公式也可以用来表示空穴的浓度.