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少子被复合之后去哪里了?我们知道：对于p型硅片,少子就是电子,所谓少子寿命就是当一定波长的光照射硅片后,硅片内就会出现电子-空穴对的分离,作为少数载流子的电子由于数量较少,在扩
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少子被复合之后去哪里了?
我们知道：对于p型硅片,少子就是电子,所谓少子寿命就是当一定波长的光照射硅片后,硅片内就会出现电子-空穴对的分离,作为少数载流子的电子由于数量较少,在扩散过程中就会逐渐被复合掉,从产生到复合的时间即为少子寿命,一般单位为us（微秒）.
请问：这个被复合掉的少子最后去哪里了?是和原来成对产生的空穴复合的吗?这样是不是又变成了光子?肉眼看得到吗?
我们知道：对于p型硅片,少子就是电子,所谓少子寿命就是当一定波长的光照射硅片后,硅片内就会出现电子-空穴对的分离,作为少数载流子的电子由于数量较少,在扩散过程中就会逐渐被复合掉,从产生到复合的时间即为少子寿命,一般单位为us（微秒）.
请问：这个被复合掉的少子最后去哪里了?是和原来成对产生的空穴复合的吗?这样是不是又变成了光子?肉眼看得到吗?
▼优质解答
答案和解析
首先,楼主原文表述并不准确,为了让楼主理解深刻,我把原文复述一下.
光照前的硅片就有电子和空穴对的分离,只是是平衡的,称为平衡载流子浓度.当一定波长的光照射硅片后,硅片内会出现更多电子-空穴对的分离,这个增加的浓度,成为非平衡载流子浓度.在P型硅中,非平衡多子就是空穴,非平衡少子就是电子,且两者必然相等,两者的寿命也必然相等.现实中没有人说多子寿命这个词汇,只是因为非平衡多子复合不复合,对多子总浓度没有影响,而不是不存在这个概念.少子寿命怎么测,是光照停止后,非平衡载流子的浓度变为1/e倍时的时间,这个用示波器检测脉冲波的方法很容易搞定.楼主说的是照射硅片后,这是错误的,假如光一直照着不停,寿命是没法算的.
第二,楼主问题的答案
当然是和原来成对产生的空穴复合,复合后的能量一半是变成光子,但也有可能激发其它态的电子跃迁.肉眼当然看不见.上了大学了怎么能到处指望裸眼?看我打了这么多,悬赏就给我吧.
光照前的硅片就有电子和空穴对的分离,只是是平衡的,称为平衡载流子浓度.当一定波长的光照射硅片后,硅片内会出现更多电子-空穴对的分离,这个增加的浓度,成为非平衡载流子浓度.在P型硅中,非平衡多子就是空穴,非平衡少子就是电子,且两者必然相等,两者的寿命也必然相等.现实中没有人说多子寿命这个词汇,只是因为非平衡多子复合不复合,对多子总浓度没有影响,而不是不存在这个概念.少子寿命怎么测,是光照停止后,非平衡载流子的浓度变为1/e倍时的时间,这个用示波器检测脉冲波的方法很容易搞定.楼主说的是照射硅片后,这是错误的,假如光一直照着不停,寿命是没法算的.
第二,楼主问题的答案
当然是和原来成对产生的空穴复合,复合后的能量一半是变成光子,但也有可能激发其它态的电子跃迁.肉眼当然看不见.上了大学了怎么能到处指望裸眼?看我打了这么多,悬赏就给我吧.
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