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I:(1)第三周期元素M的电离能情况如甲图A所示.则M元素的价层电子排布式是(2)图B折线(选填“a”、“b”或“c”)可以表达出第ⅣA族元素氢化物的沸点的变化规律.其中点A表示
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I:(1)第三周期元素M的电离能情况如甲图A所示.则M元素的价层电子排布式是___
(2)图B折线___(选填“a”、“b”或“c”)可以表达出第ⅣA族元素氢化物的沸点的变化规律.其中点A表示的分子的化学式为___,其沸点较高是因为___.
(3)COCl2 俗称光气,分子中C原子采取___杂化成键;其中分子中的共价键含有___(填序号):
A 2个σ键 1个π键 B 2个键π C 3个σ键、1个π键
Ⅱ:海水中富含氯元素.
(4)KCl广泛应用于医药和农业,KCl晶体中基态的Cl-电子排布式为___
(5)下列是IA族的Li、Na、K三种金属元素的电离能
X | Y | Z | |
第一电离能(KJ/mol) | 526.2 | 502.8 | 425.2 |
(6)RCl用作有机机合成催化剂,并用于颜料,防腐等工业.R+中所有电子正好充满K、L、M 三个电子层,它与Cl-形成的晶体结构如图乙所示.R的元素符号是___,每个Cl-周围最近的Cl-___个.已知该晶体密度为1.15 g/cm3,则晶胞中最近的R+和Cl-之间的距离为___(NA=6.02×1023/mol,只写出计算表达式即可)
▼优质解答
答案和解析
I(1)第三周期元素M的第三电离能剧增,说明最外层电子数为2,故M为Mg,价层电子排布式是:3s2,
故答案为:3s2;
(2)第ⅣA族元素氢化物为分子晶体,分子之间不存在氢键,相对分子质量越大,沸点越高,故折线c表示第ⅣA族元素氢化物沸点;氢化物A的沸点为100℃,则A为水,由于水分子之间形成氢键,其沸点比较高,
故答案为:c;H2O;水分子间可以形成氢键;
(3)COCl2的结构式为
,分子中C原子杂化轨道数目为3,C原子采取sp2杂化,单键为σ键,双键含有1个σ键、1个π键.分子中含有3个σ键、1个π键,
故答案为:sp2;C;
Ⅱ(4)Cl-离子核外电子数为18,核外电子排布式为1s22s22p63s23p6,
故答案为:1s22s22p63s23p6;
(5)X、Y、Z的价层电子构型为nS1,处于ⅠA族,自上而下第一电离能减小,故原子序数X>Y>Z,故离子半径X>Y>Z,则晶格能LiCl>NaCl>KCl,故熔点LiCl>NaCl>KCl,
故答案为:LiCl>NaCl>KCl;随核电荷数增大,阳离子半径增大,晶格能减小,熔点降低;
(6)R+中所有电子正好充满K、L、M 三个电子层,则R原子核外电子数为2+8+18+1=29,故R为Cu;
以顶点Cl-研究,与之最近的Cl-处于面心,每个顶点为8个晶胞共用,每个面心为两个晶胞共用,故每个Cl-周围最近的Cl- 有
=12个;
晶胞中最近的R+和Cl-处于体对角线上,距离为体对角线长的
,晶胞中有4个Cu+,Cl-离子数目为8×
+6×
=4,故晶胞质量为
g,该晶体密度为1.15 g/cm3,则晶胞体积为
g÷1.15 g/cm3=
cm3,故晶胞棱长为
cm,R+和Cl-距离=
×
cm,
故答案为:Cu;12;
×
故答案为:3s2;
(2)第ⅣA族元素氢化物为分子晶体,分子之间不存在氢键,相对分子质量越大,沸点越高,故折线c表示第ⅣA族元素氢化物沸点;氢化物A的沸点为100℃,则A为水,由于水分子之间形成氢键,其沸点比较高,
故答案为:c;H2O;水分子间可以形成氢键;
(3)COCl2的结构式为

故答案为:sp2;C;
Ⅱ(4)Cl-离子核外电子数为18,核外电子排布式为1s22s22p63s23p6,
故答案为:1s22s22p63s23p6;
(5)X、Y、Z的价层电子构型为nS1,处于ⅠA族,自上而下第一电离能减小,故原子序数X>Y>Z,故离子半径X>Y>Z,则晶格能LiCl>NaCl>KCl,故熔点LiCl>NaCl>KCl,
故答案为:LiCl>NaCl>KCl;随核电荷数增大,阳离子半径增大,晶格能减小,熔点降低;
(6)R+中所有电子正好充满K、L、M 三个电子层,则R原子核外电子数为2+8+18+1=29,故R为Cu;
以顶点Cl-研究,与之最近的Cl-处于面心,每个顶点为8个晶胞共用,每个面心为两个晶胞共用,故每个Cl-周围最近的Cl- 有
8×3 |
2 |
晶胞中最近的R+和Cl-处于体对角线上,距离为体对角线长的
1 |
4 |
1 |
8 |
1 |
2 |
4×99.5 |
6.02×1023 |
4×99.5 |
6.02×1023 |
4×99.5 |
1.15×6.02×1023 |
3 |
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4 |
3 |
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故答案为:Cu;12;
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4 |
3 |
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作业帮用户
2017-05-05
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