1、什么是金属-半导体接触的多子阻挡层和反阻挡层?什么是

Question

1、什么是金属-半导体接触的多子阻挡层和反阻挡层?什么是

Answer 1

1、什么是金属－半导体接触的多子阻挡层和反阻挡层?什么是肖特基接触?答：金属与N型半导体接触,当Wm>Ws 时：势垒区中的表面附近的能带向上弯曲,半导体表面电子浓度比体内小得多,为多子(电子)耗尽,因此,它是一个高阻区；多子(电子)在金属和半导体两边转移时,都需要克服一定的势垒,故,通常也将之称为多子阻挡层.金属与N型半导体接触,Wm>x D )适用于此理论.此时,电子在势垒区的碰撞可以忽略,对于电子而言,势垒的形状并不重要,起决定作用的是势垒顶点的高度——半导体体内的电子只要有足够的能量超过势垒的顶点,就可以自由地通过阻挡层进入金属；同样,金属中能超越势垒顶的电子也能达到半导体体内；所以电流的计算就归纳为计算超越势垒的载流子数目,这就是热电子发射理论.对于非简并半导体,单位体积中能量在E E+dE中的电子数目为：取垂直于界面由半导体指向金属的方向为v x 的正方向,显然就单位截面积而言,大小为v x 的体积中,在其内的所有电子,单位时间内都可以达到金属和半导体的界面：这些电子总数为：dN = v x .1.1.dn 在半导体侧的这些电子中,有能力越过势垒到达金属的电子,其v x 必须达到：2 / 1 0 2 )] ( 2 1 [ ) ( 2 1 V V q m v V V q v m D n x D x n z y x kT v v v m n dv dv dv v e kT m n dn z y x n 2 2 ) ( 2 3 0 4 ) 2 ( 2 2 2 即：仅有v x 在[v x0 ,+ ] 范围内的电子可以越过势垒,所以,单位时间内,达到金-半界面的电子数为：这时所形成的电流为：0 x v dN N 常数 称为 其中,Richardson k qm h A e e T A dN q qN J kT qV kT q v m s ns x 2 * 3 2 4 1 0 电子从金属向半导体运动（发射）时遇到的势垒高度为q m ,不随外加电压而改变,故电流是个恒定值,它在热平衡时(V=0) 与从半导体运动（发射）到金属的电子流相抵消,即：电流的表达式还可以写成以下形式：0 8 ( 1) ,4 D F q V q V k T k T n q v n k T J e e v m 其中 ) 1 ( ) 1 ( 0 0 2 * 2 * 0 kT qV kT qV kT q s m m s n kT q s m V m s s m F F m m F e J e e T A J J J e T A J J J 总电流形式为：电流通过热电子发射过程的输运：Si、Ge、GaAs材料的载流子迁移率较高,热电子发射理论对它们比较适用.