下列关于电子衍射的说法中，正确的是（）A.使电子一个一个地穿过薄晶片再射到荧光屏上，电子可能绕射到晶片的几何阴影区内B.使电子一个一个地穿过薄晶片再射到荧光屏上，在荧

Question

下列关于电子衍射的说法中，正确的是（　　）

A. 使电子一个一个地穿过薄晶片再射到荧光屏上，电子可能绕射到晶片的几何阴影区内

B. 使电子一个一个地穿过薄晶片再射到荧光屏上，在荧光屏上可能看到电子的衍射图样

C. 使电子一个一个地穿过薄晶片再射到荧光屏上，在荧光屏上只能是一个个随机的亮斑

D. 使电子一个一个地穿过薄晶片再射到照相底片上，在照相底片上可能得到电子的衍射图样

Answer 1

AB．使电子一个一个地穿过薄晶片再射到射到荧光屏上，如果时间足够长，荧光屏上中央到达的机会最多，其它地方机会较少．因此会出现衍射图样，电子可能绕射到晶片的几何阴影区内，故AB正确；
C．单个电子通过单缝后打在荧光屏的情况呈现出随机性，大量电子通过单缝后打在荧光屏上的情况呈现出规律性．所以少量电子体现粒子性，大量电子体现波动性，故C错误；
D．使电子一个一个地穿过薄晶片再射到照相底片上，如果时间足够长，底片上中央到达的机会最多，其它地方机会较少．因此会出现衍射图样，故D正确．
故选：ABD．