关于TTL反相器的问题,懂数电的进TTL反相器中,当输入为低电平时,比如Ui=Uil=0.3v,VT1的发射极导通,并且VT1的基极电位的电位被钳制在1v,到这里我能理解,但后面书上说这个值不足使VT2的发射极导

Question

关于TTL反相器的问题,懂数电的进
TTL反相器中,当输入为低电平时,比如Ui=Uil=0.3v,VT1的发射极导通,并且VT1的基极电位的电位被钳制在1v,到这里我能理解,
但后面书上说这个值不足使VT2的发射极导通,VT1的集电极回路电阻是R2和VT2的bc结反向电阻之和,阻值非常大,因而VT1工作在深度饱和状态,
且集电极电流很小,在定量计算时可忽略不计,这几句话太难理解了,谁能给我个很好的解释?最好给我详细的理解的过程.
我怎么看不懂四楼说的,三极管是否饱和导通为什么和集电极电流有关?

Answer 1

当输入为低电平时,比如Ui=Uil=0.3v,VT1的发射极导通,并且VT1的基极电位的电位被钳制在1v,这时因为VT1的集电极没有其他支路提供电流和电压,所以VT1处于深饱和状态,VT1集电极电压维持在0.3v,使得VT2处于截止状态,这样VT2集电极反偏,当然泄漏到基极的电流就很小了,可以忽略不计了
三极管饱和指的是集电极提供的电流小于基极电流的B倍,即集电极电流不再与基极电流成正比.电路中基极电流在1mA,VT1放大倍数在20左右,但由VT2基极提供给VT1集电极的电流在0.1mA以下,所以VT1处于深饱和.
在输入端由高电平到低电平的转换时,VT2的基极电荷被VT1很快释放,使得电路工作频率提高是VT1最主要的使用目的.