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（2011•信阳二模）一个用半导体材料制成的电阻器D，其电流I随它两端电压U变化的关系如图中的（a）所示，将它与两个标准电阻R1、R2组成如图（b）所示电路，当电键S接通位置1时，三个用物理

分别是PD、P1、P2，下列

计算机组成原理题：CPU地址总线A15～A0（低）。用ROM芯片（4K×4位/片）和RAM芯片（2K×8位/片）？？已知CPU地址总线A15～A0（低）。用ROM芯片（4K×4位/片）和RAM芯片（2K×8位/片）组成一个半导体其他

00H～3FFFH，RAM区

某科学兴趣小组的同学在实验室发现一个有趣的元件（如图甲所示）：透明玻璃壳内有一个标有“6V3.6W”字样的小灯泡L（阻值不变）和一个由一种半导体材料制成的导体R0，A、B、C是其外露物理

验装置，把导线M、N分别与A

（2011•宜兴市二模）某科学兴趣小组的同学在实验室发现一个有趣的元件（如图甲所示）：透明玻璃壳内有一个标有“6V3.6W”字样的小灯泡L（阻值不变）和一个由一种半导体材料制成的导物理

所示电源电压恒为6V的实验装

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间化学

2）铜、铁元素能形成多种配合

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原化学

▲ 晶体。⑵ K^S*

[化学--物质结构与性质]（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子化学

N属于______晶体．（2

第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，每个Ga原子与个N原子相连，与同一个Ga原子化学

__晶体．

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