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氮化铝（AlN）是新型的电子绝缘基片材料，用于大型和超大型集成电路中．在高温下氮气、碳和三氧化二铝反应可以生成氮化铝微晶粉体和一氧化碳，
用此方法制得的氮化铝中含有少量杂质
化学
Al2O3+2NaOH=2N
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