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Ⅱ．砷化镓为第三代半导体材料，（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为．（2）
比较二者的第一电离能
：AsGa（填“<”、“>”或“=”）；（3）As
化学
镓原子的杂化方式是___．
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