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一定温度下,在如图所示装置中,固体X与气体Y反应,生成气态产物;当改变温度时该气态产物发生逆向反应,重新生成X和Y.利用上述反应原理和装置,对含杂质的固体Co进行提纯(杂质不
化学
气).下列说法正确的是(
一定温度下,在图所示装置中,固体X与气体Y反应,生成气态产物,当改变温度时该气态产物发生逆向反应,重新生成X和Y.利用上述反应原理和装置,对含杂质的固体Co进行提纯(杂质不参
化学
气).下列说法正确的是(
(2013•河东区一模)工业上高纯硅可以通过下列反应制取:SiCl4(g)+2H2(g)高温Si(s)+4HCl(g)-236kJ完成下列填空:(1)
在一定温度下进行上述反应
,若反应容器的容积为2L,H2的平均反
化学
后达到平衡,此时获得固体的质
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